硅基底上小直径单壁碳纳米管的 CVD 合成
介观与纳米尺度物理
2012-07-17 v1 材料科学
摘要
开发了一种用于化学气相沉积（CVD）超小直径（ultra SD）单壁碳纳米管的简单工艺。在该工艺中，使用浓度为 400 ug/ml 的异丙醇硝酸铁九水合物溶液来催化氧化硅晶圆上纳米颗粒的形成。基底上的氧化物由夹在两层薄干氧化物之间的一层厚湿氧化物构成。该工艺产生了直径小于 0.7nm 且带隙能量大于 1eV 的半导体单壁碳纳米管（SWNTs），这是迄今报道的直径最小的 SWNTs 之一。
引用
@article{arxiv.1207.3555,
title = {CVD Synthesis of Small-Diameter Single Walled Carbon Nanotubes on Silicon},
author = {Nima Arjmandi and Pejhman Sasanpour and Bijan Rashidian},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.3555},
year = {2012}
}
备注
9 pages, 5 figures