基于 32 纳米技术碳纳米管场效应晶体管的低功耗全加器单元设计
硬件体系结构
2014-11-11 v1
摘要
全加器是逻辑单元和算术单元的关键部件之一。因此，提出一种低功耗全加器单元可降低整个电路的功耗。此外，由于纳米级晶体管的独特特性，使用它们可以节省能耗并减小芯片面积。本文提出了一种利用碳纳米管场效应晶体管（CNTFETs）的低功耗全加器单元。仿真结果基于 32 纳米技术下的 CNTFET 模型，使用 HSPICE 在不同的温度和 VDD 值下进行。
引用
@article{arxiv.1411.2088,
title = {Energy Efficient Full Adder Cell Design With Using Carbon Nanotube Field Effect Transistors In 32 Nanometer Technology},
author = {Ali Ghorbani and Ghazaleh Ghorbani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.2088},
year = {2014}
}
备注
8 pages, 6 figures, International Journal of VLSI design & Communication Systems (VLSICS) Vol.5, No.5, October 2014