基于垂直纳米线场效应晶体管技术（含紧凑模型）的 3D 逻辑单元设计与结果
系统与控制
2020-05-29 v1 新兴技术
系统与控制
应用物理
摘要
环绕栅极垂直纳米线场效应晶体管（VNWFET）是一种新兴器件，非常适合于在约 7nm 横向缩放限制之外继续推进微缩。本工作探讨了该技术在逻辑单元设计背景下的相对优势与不足。我们描述了一种无结纳米线技术及其相关的紧凑模型，该模型精确刻画了基于 16 至 625 根直径在 22 至 50nm 之间的并行纳米线的晶体管在所有工作区域中的实测器件行为。我们利用该模型模拟了基于无源负载、有源负载和互补拓扑的反相器逻辑门的预期性能，并对晶体管中纳米线数量进行了性能探索。在紧凑性方面，通过专用的全 3D 版图设计，我们还展示了相比基于 7nm FinFET 的反相器，互补结构的横向尺寸减小了 1.4 倍。
引用
@article{arxiv.2005.14039,
title = {3D logic cells design and results based on Vertical NWFET technology including tied compact model},
author = {C. Mukherjee and M. Deng and F. Marc and C. Maneux and A. Poittevin and I. OConnor and S. Le Beux and A. Kumar and A. Lecestre and G. Larrieu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.14039},
year = {2020}
}
备注
Paper submitted to IFIP/IEEE International Conference on Very Large Scale Integration (VLSI-SoC), 5-7 October 2020, Salt Lake City (UT), USA