用于逻辑应用的耗尽型InSb量子阱场效应晶体管的设计与性能分析
介观与纳米尺度物理
2016-06-28 v1 其他凝聚态物理
摘要
使用量子修正自洽薛定谔-泊松和二维漂移-扩散模型，对栅长为1微米、栅介质厚度为10 nm的Al2O3的耗尽型InSb量子阱场效应晶体管（QWFET）的设计进行了优化。该模型预测在Vg= 0V时电子迁移率高达4.42 m2V-1s-1，夹断栅压小至-0.25V，最大非本征跨导为4.94 S/mm，漏电流密度超过6.04 A/mm。预测该器件的短路电流增益截止频率为374 GHz，最大振荡频率为645 GHz。这些特性使该器件成为低功耗、高速逻辑电子器件应用的有力候选者。
引用
@article{arxiv.1606.08119,
title = {Design and Performance Analysis of Depletion-Mode InSb Quantum-Well Field-Effect Transistor for Logic Applications},
author = {R. Islam and M. M. Uddin and M. Mofazzal Hossain and M. B. Santos and M. A. Matin and Y. Hirayama},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.08119},
year = {2016}
}
备注
17 pages