漏极电流超过 1.5 A/mm 的绝缘体上 \b{eta}-Ga2O3 场效应晶体管及其自热效应
介观与纳米尺度物理
2017-11-13 v2
摘要
我们展示了通过利用高掺杂 \b{eta}-Ga2O3 纳米膜作为沟道，耗尽/增强型绝缘体上 \b{eta}-Ga2O3 场效应晶体管可实现创纪录的 1.5/1.0 A/mm 高漏极电流密度。绝缘体上 \b{eta}-Ga2O3 场效应晶体管 (GOOI FET) 即使采用 300 nm 厚的 SiO2，也展现出 10 的高开/关比和 150 mV/dec 的低亚阈值摆幅。增强型 GOOI FET 通过表面耗尽实现。应用一种超快、高分辨率的热反射成像技术，通过直接测量局部表面温度来研究自热效应。高漏极电流、低接触电阻 Rc 和宽带隙使绝缘体上 \b{eta}-Ga2O3 场效应晶体管成为未来电力电子应用的有前景的候选者。
引用
@article{arxiv.1703.06197,
title = {\b{eta}-Ga2O3 on Insulator Field-effect Transistors with Drain Currents Exceeding 1.5 A/mm and Their Self-heating Effect},
author = {Hong Zhou and Kerry Maize and Gang Qiu and Ali Shakouri and Peide D. Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.06197},
year = {2017}
}