具有高效体耗尽区的 β-Ga2O3 双栅无结场效应晶体管
应用物理
2021-11-29 v1
摘要
本文提出一种新型 β-Ga2O3 无结双栅金属-氧化物-场效应半导体晶体管（βDG-JL-FET），其在氧化物层中嵌入 P+ 包层（PO-βDG-JL-FET）用于高压应用。我们的目标是通过放置硅的 P+ 层实现高效的体耗尽区。我们表明所提出的结构具有约 64 mV/decade 的亚阈值摆幅，并抑制了带带隧穿（BTBT）现象。此外，PO-βDG-JL-FET 结构具有高 Ion/Ioff ~ 1.3e15。嵌入层使关态电流（IOFF）降低约 10^-4，而开态电流（ION）略有下降。此外，我们表明所提出的结构在栅功函数范围内具有可接受的 Ioff 值，这有助于我们在面积、功率增益和泄漏电流方面优化设计。所提出结构的泄漏电流在 400 K 温度下约为 7e-17 A。此外，将研究所提结构的制备工艺步骤。
引用
@article{arxiv.2103.13022,
title = {beta-Ga2O3 Double Gate Junctionless FET with an Efficient Volume Depletion Region},
author = {Dariush Madadi and Ali Asghar Orouji},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.13022},
year = {2021}
}