利用极端介电常数材料对超宽禁带半导体晶体管进行静电工程
应用物理
2020-06-04 v1 材料科学
摘要
-GaO等超宽禁带材料的性能关键取决于在器件有源区内实现高平均电场。在本报告中，我们展示BaTiO等高k栅介质可通过改善横向场效应晶体管栅-漏区电场分布的均匀性来提供高效的场管理策略。利用该策略，我们在-GaO中于栅-漏间距（L）分别为6 um和0.6 um、高沟道面电荷密度1.8x10cm下，分别实现了1.5 MV/cm和4 MV/cm的高平均击穿场强。高面电荷密度与高击穿场强共同在栅-漏间距3 um处实现了376 MW/cm的创纪录功率优值（V/R）。
引用
@article{arxiv.2006.02349,
title = {Electrostatic Engineering using Extreme Permittivity Materials for Ultra-wide Bandgap Semiconductor Transistors},
author = {Nidhin Kurian Kalarickal and Zixuan Feng and A F M Anhar Uddin Bhuiyan and Zhanbo Xia and Joe F. McGlone and Wyatt Moore and Aaron R. Arehart and Steven A. Ringel and Hongping Zhao and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.02349},
year = {2020}
}