UWBG AlGaN 晶体管中的高击穿电场（> 5 MV/cm）
材料科学
2025-09-03 v2 应用物理
摘要
我们报道了一种用于高功率、高频应用的超宽带隙（UWBG）AlGaN 通道金属-绝缘异构结构场效应器（HEFT）的设计与实现。我们发现，集成栅极介电层和场电极后，这类器件的击穿电场显著提升，实测平均击穿电场达 5.3 MV/cm（击穿电压 > 260 V），且最大电流密度为 342 mA/mm，截止频率达 9.1 GHz。此外，观察到栅极和漏极迟滞效应较小，对捕获相关影响的脉冲 I-V 特征表明其低捕获性能。报告的结果为 UWBG AlGaN HEFTs 在下一代高功率射频应用提供了潜在前景。
引用
@article{arxiv.2504.12685,
title = {High Breakdown Electric Field (> 5 MV/cm) in UWBG AlGaN Transistors},
author = {Seungheon Shin and Hridibrata Pal and Jon Pratt and John Niroula and Yinxuan Zhu and Chandan Joishi and Brianna A. Klein and Andrew Armstrong and Andrew A. Allerman and Tomás Palacios and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.12685},
year = {2025}
}
备注
14 pages, 10 figures