具有图形化再生长基极接触的选择性注入 AlGaN/GaN 异质结双极晶体管
应用物理
2023-09-19 v1
摘要
我们展示了具有跨 p-GaN 基极选择性注入少数载流子以及图形化再生长基极接触的梯度 AlGaN/GaN 异质结双极晶体管（HBTs）。该选择性注入设计在发射极-基极正向偏置下通过薄基极区调控少数载流子输运，而图案化于薄基极区旁的厚且高掺杂 p GaN 再生长层用于降低基极接触电阻。采用 SiO 作为发射极与 p 再生长层间的隔离层，具有交叉指状发射极/基极接触条设计的器件显示出最大集电极电流密度（I）为 101 kA/cm，在 I 1 kA/cm 时最大电流增益（）为 70，在 I 50 kA/cm 时约为 11。所报道的结果证明了选择性注入方法有望打破长期存在的 HBT 在基极电阻与电流增益间的设计权衡，用于下一代射频与毫米波应用。
引用
@article{arxiv.2309.09886,
title = {Selective injection AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistors with patterned regrown base contacts},
author = {Chandan Joishi and Sheikh Ifatur Rahman and Zhanbo Xia and Shahadat H. Sohel and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.09886},
year = {2023}
}