用于MOCVD生长的高Al组分AlGaN晶体管的组分梯度接触层
应用物理
2019-09-17 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
其他凝聚态物理
摘要
在这封信中，我们设计并展示了一种改进的MOCVD生长的反向Al组分梯度接触层，以实现对MOCVD生长的超宽禁带（UWBG）Al0.70Ga0.30N沟道金属半导体场效应晶体管（MESFET）的低电阻接触。发现增加反向梯度层的厚度可以显著改善接触层电阻，导致接触电阻为3.3×10^-5 Ω·cm²。栅极长度LG为0.6微米、源漏间距LSD为1.5微米的器件在施加栅极电压VGS为+2 V时显示出最大电流密度IDSMAX为635 mA/mm。栅漏间距LGD为770 nm的晶体管的击穿测量显示击穿电压大于220 V，对应的最小击穿场强为2.86 MV/cm。这项工作为设计MOCVD生长的高Al组分AlxGa1-xN沟道晶体管的低电阻接触提供了框架。
引用
@article{arxiv.1906.10270,
title = {Compositionally graded contact layers for MOCVD grown high Al-content AlGaN transistors},
author = {Towhidur Razzak and Seongmo Hwang and Antwon Coleman and Hao Xue and Shahadat Hasan Sohel and Sanyam Bajaj and Yuewei Zhang and Wu Lu and Asif Khan and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.10270},
year = {2019}
}