合成单层 MoS2 接触的统计性分析
材料科学
2022-02-22 v3 应用物理
摘要
二维（2D）半导体因在单层极限下免于迁移率退化，是缩放晶体管的理想候选材料。然而，诸如 MoS2 等二维半导体的亚 10 nm 缩放受限于接触电阻。本工作中，我们首次展示了利用传输线模型（TLM）结构、在介电封装前后对化学气相沉积单层 MoS2 的 Au 接触所进行的统计研究。我们报道的接触电阻低至 330 欧姆·微米，为迄今报道的最低值。我们进一步研究了 Al2O3 封装对接触电阻及其他器件参数变异性的影响。最后，我们指出了背栅配置下短沟道器件的 TLM 模型的一些偏差，并讨论了可能的修正以提高模型精度。
引用
@article{arxiv.2106.08673,
title = {Statistical Analysis of Contacts to Synthetic Monolayer MoS2},
author = {Aravindh Kumar and Alvin Tang and H. -S. Philip Wong and Krishna Saraswat},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.08673},
year = {2022}
}
备注
4 pages, 5 figures, to be published in IEEE IITC 2021 conference proceedings; fixed labels in Fig 4(b) and removed blank page at the end