通过铜间隙化双层 MoS$_2$ 实现低接触电阻
介观与纳米尺度物理
2024-12-25 v1
摘要
MoS 与金属之间的高接触电阻阻碍了其作为克服亚 3nm 规模下硅基 FET 短通道效应的理想解决方案的潜能。我们理论设计了一种 MoS 基准晶体管，特点是双层 MoS 连接到 Cu 间隙化双层 MoS 电极。在 0.6 V 时，接触电阻分别为 16.7 m（锯齿）和 30.0 m（armchair），接近甚至超过单层材料的 30 m 量子极限。这种低电阻归因于消除隧穿势垒并形成 ohmic 接触。此外，较小的接触电位差使得 operating voltage更低。我们的间隙化设计为 2D 电子器件实现低接触电阻提供了一种新方法。
引用
@article{arxiv.2412.18385,
title = {Achieving low contact resistance through copper-intercalated bilayer MoS$_2$},
author = {Huan Wang and Xiaojie Liu and Hui Wang and Yin Wang and Haitao Yin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.18385},
year = {2024}
}
备注
10 pages, 7 figures