高频缩放 MoS2 晶体管
介观与纳米尺度物理
2016-09-05 v1
摘要
近期，人们对 MoS2 在射频（RF）应用中的兴趣日益增加。然而，关于由 MoS2 制成的射频应用晶体管的缩放行为知之甚少，这对于确定基于柔性及刚性衬底的二维半导体电路的性能极限非常重要。在此，我们对顶栅三层 MoS2 射频晶体管进行了系统研究，其栅极长度缩小至 70 nm 和 40 nm。此外，通过在三层 MoS2 器件中引入边缘接触电子注入，我们降低了接触电阻，结果在去嵌入程序之前获得了 6 GHz 的最高截止频率，在去嵌入程序之后获得了 25 GHz 的最高截止频率。
引用
@article{arxiv.1609.00701,
title = {High-frequency, scaled MoS2 transistors},
author = {Daria Krasnozhon and Subhojit Dutta and Clemens Nyffeler and Yusuf Leblebici and Andras Kis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.00701},
year = {2016}
}
备注
in Electron Devices Meeting (IEDM), 2015 IEEE International