实现具有低集电极-发射极偏移电压和高电流增益的宽禁带P-SiC发射极横向异质结双极晶体管——基于数值模拟的新方案
介观与纳米尺度物理
2010-08-19 v1
摘要
我们报道了一种利用双禁带发射极降低宽禁带SiC-P发射极横向HBT集电极-发射极偏移电压的新方法。在我们的方案中，通过采用SiC-on-Si P发射极消除发射极-基极(EB)结与集电极-基极(CB)结之间的内建电势差，集电极-发射极偏移电压VCE(offset)被大幅降低。我们证明，所提出的双禁带P发射极HBT结合SiGe基区和肖特基集电极，不仅具有极低的VCE(offset)，还表现出高电流增益、减弱的Kirk效应、优异的瞬态响应和高截止频率。我们利用二维器件仿真详细评估了所提出器件的性能，并建议了一种可能的BiCMOS兼容制造工艺。
引用
@article{arxiv.1008.3031,
title = {Realizing Wide Bandgap P-SiC-emitter Lateral Heterojunction Bipolar Transistors with low collectoremitter offset voltage and high current gain - A novel proposal using numerical simulation},
author = {M. Jagadesh Kumar and C. Linga Reddy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3031},
year = {2010}
}
备注
http://web.iitd.ac.in/~mamidala/