基于脉冲测量与瞬态仿真的 Si-Ge HBT 电热特性表征
材料科学
2013-03-20 v1 仪器与探测器
摘要
本文描述了一种新颖且简单的方法，用于准确表征 Si-Ge 异质结双极晶体管（HBTs）中的瞬态自热效应，该方法基于脉冲测量并通过瞬态电热仿真进行了验证。测量是在基极和集电极端子同时施加脉冲的情况下进行的，获得了由于自热效应导致的集电极电流增加的时间响应。与以往方法相比，本研究进行了完整的校准，包括了同轴电缆、连接器和偏置网络等所有无源元件。此外，通过三维电热器件仿真，数值获得了结温随时间的变化、热通量电流以及晶格温度分布。使用 HiCuM HBT 紧凑模型从测量中提取的热参数，已与从电热瞬态仿真中提取的参数进行了验证。研究表明，标准的 R-C 热网络不足以准确模拟热扩散行为，因此采用了一种更具物理意义且适用于瞬态电热建模的递归网络。
引用
@article{arxiv.1303.4641,
title = {Electro-thermal characterization of Si-Ge HBTs with pulse measurement and transient simulation},
author = {Amit Kumar Sahoo and Sébastien Fregonese and Mario Weiß and Nathalie Malbert and Thomas Zimmer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.4641},
year = {2013}
}