多指 SiGe:C HBT 器件内部相互热耦合的表征
介观与纳米尺度物理
2013-04-08 v1 仪器与探测器
摘要
本文研究了在 STMicroelectronics 的 Si/SiGe:C HBT 技术中制造的沟槽隔离多发射极双极晶体管中的相互耦合，该技术的 和分别约为 300 GHz 和 400 GHz。利用三维 (3D) 热 TCAD 仿真提取热耦合参数。将获得参数实施到分布式晶体管模型中，该模型考虑了自热效应以及发射极指之间的热耦合。电路仿真与在自制测试结构上进行的直流测量之间取得了非常好的一致性。
引用
@article{arxiv.1304.1781,
title = {Characterization of intra device mutual thermal coupling in multi finger SiGe:C HBTs},
author = {Mario Weiß and Amit Kumar Sahoo and Cristian Raya and Marco Santorelli and Sébastien Fregonese and Cristell Maneux and Thomas Zimmer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.1781},
year = {2013}
}
备注
Preprint, submitted to EDSSC 2013