集成电路中基于电压噪声的毫开尔文温度测量
应用物理
2025-02-25 v1
摘要
本文展示了利用电压噪声测温（配合交叉相关技术）作为一种无耗散的集成电路（IC）内部温度测量方法。我们表明，该技术在从 300 mK 到 8 K 的制冷温度范围内表现出广泛的一致性。此外，它与独立的 IC 内测量技术以及作为函数的简单热模型在 IC 内部功耗方面表现出显著的一致性。由于受测器件（DUT）为电阻器，能够通过在 IC 中布置众多电阻器来扩展该技术，用以监测 IC 内部的局部温度，而不会增加 IC 设计的复杂度。这可能会导致对 IC 在低温下的热态图的更好理解。这一技术在量子计算中具有最佳应用潜力，因为冷-classical-quantum 边界的温度必须严格控制以维持量子位性能。
引用
@article{arxiv.2502.16661,
title = {Voltage Noise Thermometry in Integrated Circuits at Millikelvin Temperatures},
author = {G. Ridgard and M. Thompson and L. Schreckenberg and N. Deshpande and A. Cabrera-Galicia and O. Bourgeois and V. Doebele and J. Prance},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.16661},
year = {2025}
}