用于低噪声放大器在片微波噪声表征的变温衰减器校准方法
仪器与探测器
2025-11-18 v1 天体物理仪器与方法
摘要
低温低噪声微波放大器广泛应用于射电天文学和量子计算等领域。对低温低噪声晶体管进行在片噪声表征是可取的，因为它有助于在封装前更快速地表征器件，但由于被测器件（device-under-test, DUT）之前的输入损耗和温度梯度带来的不确定性，获得准确的噪声测量结果十分困难。本文报告了一种校准方法，该方法能够同时确定被测器件输入平面处的后端噪声温度和有效噪声比。该方法基于在两个或多个不同物理温度下测量一系列衰减器的 S 参数和噪声功率。我们通过在 4-8 GHz 频段测量 InP HEMT 的噪声温度来验证我们的方法。只要能在两个或多个不同物理温度下测量一系列衰减器，该校准方法便可推广用于测量任何二端口器件的微波噪声温度。
引用
@article{arxiv.2511.13619,
title = {Variable-temperature attenuator calibration method for on-wafer microwave noise characterization of low-noise amplifiers},
author = {Anthony J. Ardizzi and Jiayin Zhang and Akim A. Babenko and Kieran A. Cleary and Austin J. Minnich},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.13619},
year = {2025}
}
备注
10 pages, 7 figures, 3 tables, 11 equations