180 nm CMOS 工艺在 100 mK 下的低温表征
仪器与探测器
2020-06-24 v2
摘要
在低温条件下工作的常规 CMOS 工艺因其在低噪声电子学中的用途近来引起了关注。我们给出了首批在 100 mK 温度下对 180 nm CMOS 工艺的表征之一，提取了 I/V 特性、阈值电压和跨导值，并观察了它们的温度依赖性。我们发现 CMOS 器件在这些温度下仍完全可工作，尽管在某些器件中观察到迟滞效应。本文所述的测量可用于指导未来旨在该深低温 regime 下工作的 CMOS 器件设计。
引用
@article{arxiv.2003.00207,
title = {Cryogenic Characterization of 180 nm CMOS Technology at 100 mK},
author = {Roger Huang and Dario Gnani and Carl Grace and Yury Kolomensky and Yuan Mei and Aikaterini Papadopoulou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.00207},
year = {2020}
}