低温 MOSFET 阈值电压模型
应用物理
2019-04-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文提出一种基于物理的体 MOSFET 阈值电压模型，在室温至低温（4.2 K）均有效。该模型由泊松方程导出，包含带隙展宽、本征载流子密度标度以及不完全电离。我们证明，在阈值电压表达式中考虑不完全电离对于电流的准确估计至关重要。该模型通过我们来自 28 nm CMOS 工艺的 nMOSFET 实验结果得到验证。所开发的模型是 cryo-CMOS 紧凑模型的关键要素，并可作为优化工艺以实现高性能低温计算与超低功耗量子计算的指南。
引用
@article{arxiv.1904.09911,
title = {Cryogenic MOSFET Threshold Voltage Model},
author = {Arnout Beckers and Farzan Jazaeri and Christian Enz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.09911},
year = {2019}
}