低温nMOSFET导通电流与亚阈值摆幅的TCAD建模
计算物理
2024-01-01 v1 应用物理
摘要
本文中，通过细致校准，我们展示了利用一组统一的模型与参数，借助工艺计算机辅助设计（TCAD）对300K与5K下nMOSFET导通电流与亚阈值摆幅（SS）建模的可行性。所用器件为W/L=10um/10um的0.35um工艺nMOSFET。我们表明，利用密度小于2e12cm-2的界面受主陷阱可对异常SS建模。我们还提出了能量空间中的陷阱分布剖面，可用于复现4K至300K间其他观测到的SS。尽管本工作未证实亦未排除异常SS的任何可能起源，其表明在完全弄清起源前不能彻底排除界面陷阱作为成因，且表明在起源充分明了前界面陷阱可用于建模异常SS。我们还表明，由于异常摆幅，漏致势垒降低（DIBL）在低温下大幅减弱，器件优化策略或需修订。
引用
@article{arxiv.2107.07139,
title = {TCAD Modeling of Cryogenic nMOSFET ON-State Current and Subthreshold Slope},
author = {Prabjot Dhillon and Nguyen Cong Dao and Nguyen Cong Dao and Hiu Yung Wong},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.07139},
year = {2024}
}
备注
4 pages, 8 figures, International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2021