低温下光激发 III-V 纳米线的陷阱相关电流抑制
光学
2026-02-26 v1
摘要
量子技术网络的发展势在必然，需要高速、低热负荷且噪声最小的制冷端与室温端之间的通信链路。现代通信系统的核心在于光互连，能够通过光纤实现大数据传输。然而，制冷光子技术仍大多未被探索，需对低温下的材料行为和缺陷动力学进行深入了解。本文首次系统研究工作于制冷温度（低至 5K）下的集成 III-V异结构件。采用单晶生长于硅上的 n-InP/i-InGaAs/p-InP/p-InGaAs堆叠结构，我们识别出一种温度相关的电流降低机制，即在 140K 以下陷阱状态变得越来越活跃。我们首次展示，这些陷阱可以通过热能或光能等效激发和控制，揭示了双模制机制。这一发现为制冷光子学领域的载流子传输和缺陷行为提供了新见解，同时为集成量子与光电子器件中非破坏性的杂质鉴别和表征提供了方法。
引用
@article{arxiv.2602.21724,
title = {Trap-dependent current suppression of optically excited III-V nanowires at cryogenic temperatures},
author = {Myriam Rihani and Cristina Martinez-Oliver and Markus A. Scherrer and Heinz Schmid and Kirsten E. Moselund and Simone Iadanza},
journal= {arXiv preprint arXiv:2602.21724},
year = {2026}
}