低温 MOSFET 特性中的拐点现象
介观与纳米尺度物理
2023-09-26 v1
摘要
本简报报道了低温下 MOSFET 转移特性中拐点的解析建模与测量。拐点是指漏极电流相对于栅极电压的内向弯曲，在给定的栅极电压下，与漂移-扩散电流相比，它降低了弱反型和中等反型下的电流。这一现象通过引入以能带边缘为中心的局域态高斯分布来解释。局域态归因于无序和界面陷阱。所提出的模型允许从直流电流测量中提取界面处的局域态密度。
引用
@article{arxiv.2309.13667,
title = {Inflection Phenomenon in Cryogenic MOSFET Behavior},
author = {Arnout Beckers and Farzan Jazaeri and Christian Enz},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.13667},
year = {2023}
}