石墨烯晶体管中电子输运的滞后效应
介观与纳米尺度物理
2011-01-19 v3
摘要
石墨烯场效应晶体管通常由位于 SiO2 表面上的石墨烯薄片构成。依赖于栅极电压的电导表现出随栅压扫描速率/范围变化的滞后效应。本文表明，这些晶体管的电学特性表现出两种不同的滞后效应。电荷转移导致最小电导对应的栅压发生正向偏移，而电容式栅控则会导致电导相对于栅压发生负向偏移。正滞后现象随着石墨烯薄片层数的增加而衰减。在氦气气氛中的自热效应显著去除了吸附物并减小了正滞后。我们还在低温下观察到了石墨烯器件中的负滞后效应。研究还发现，石墨烯上/下的冰层比水层具有强得多的偶极矩。电解质栅极中的可动离子和铁电栅极中的极性切换也可能导致石墨烯晶体管中的负滞后效应。这些发现提高了我们对石墨烯对其周围环境电学响应的理解。石墨烯对环境的独特敏感性及相关现象值得在非易失性存储器、静电检测和化学驱动应用方面进行进一步研究。
引用
@article{arxiv.1011.0579,
title = {Hysteresis of Electronic Transport in Graphene Transistors},
author = {Haomin Wang and Yihong Wu and Chunxiao Cong and Jingzhi Shang and Ting Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.0579},
year = {2011}
}
备注
13 pages, 6 Figures