石墨烯发射器的忆阻模型：滞回与自交叉
介观与纳米尺度物理
2020-10-28 v1
摘要
场发射实验中电流-电压特性所展现的滞回现象，就实际应用而言常被视为 undesirable（不受欢迎）。然而，对于忆阻器件而言这是一种引人注目的效应。我们开发了一个两阶段模型来描述滞回特性，特别关注包含衬底上单层石墨烯片阴极的系统。除滞回外，电流-电压曲线还展现出不寻常的自交叉行为。所提出的忆阻模型可用于定量描述不同的滞回特性（如突变与自交叉），并用于理解（及建模）与平面石墨烯发射器场发射相关的过程。
引用
@article{arxiv.2010.14138,
title = {A memristive model for graphene emitters: hysteresis and self-crossing},
author = {D. V. Gorodetskiy and S. N. Shevchenko and A. V. Gusel'nikov and A. V. Okotrub},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.14138},
year = {2020}
}