忆阻器的傅里叶响应：权重递增的高次谐波产生
介观与纳米尺度物理
2013-01-08 v1
摘要
我们研究了当外加电压频率小于忆阻器特征频率时，忆阻器电流的傅里叶变换，此时忆阻器在电流-电压平面上呈现滞回。我们发现，当滞回曲线“平滑”时，电流傅里叶变换在奇次和偶次谐波上的权重随谐波阶次快速单调衰减；当滞回曲线“尖锐”时，电流的傅里叶变换显著展宽，高次谐波上的权重非单调。我们提出了一个简单模型，表明傅里叶谱的这种定性变化完全由电压周期内忆阻的饱和驱动，而非独立地由各种系统参数（如外加频率或忆阻器频率，以及非线性掺杂剂漂移）引起。
引用
@article{arxiv.1205.5795,
title = {Fourier Response of a Memristor: Generation of High Harmonics with Increasing Weights},
author = {Yogesh N. Joglekar and Natalia Meijome},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.5795},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 3 figures