非理想忆阻器之于非理想世界

忆阻器在 $V-I$ 平面上具有捏滞回线。理想忆阻器处处非线性，在零点交叉且旋转对称。本文将忆阻器理论加以拓展，以产生不同类型的非理想特性，并发现：引入背景电流（如离子电流）会使交叉点偏离零点；引入退化电阻（随实验时间增加）会导致不对称性；对并联的低电阻细丝建模可描述具有直线低电阻态的三角形 $V-I$ 曲线。基于滞后现象，本文引入了一种新的滞后不对称性测量方法，并发现哪个瓣更大取决于断开电流相对于忆阻值的大小。滞后现象随每种非理想类型的变化方式不同，这表明测量若干器件的 I-V 曲线并计算这些参数，可以指示其底层机制。