记忆电阻器与非记忆电阻的过零滞回曲线
介观与纳米尺度物理
2012-02-21 v5
摘要
电路理论家 Leon Chua 曾错误地断言，所有过零捏滞滞回曲线都定义了记忆电阻器 (memristor)。Stan Williams (HPLabs) 利用这一主张断言所有形式的 RRAM 和相变存储器都是记忆电阻器。本文展示了几个动态系统的例子，它们超出了记忆电阻系统的约束，但同样产生了被声称作为记忆电阻器指纹的同类型过零滞回曲线。这证明了过零滞回作为记忆电阻器的证据是不充分的。
引用
@article{arxiv.1201.2626,
title = {Memresistors and non-memristive zero-crossing hysteresis curves},
author = {Blaise Mouttet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.2626},
year = {2012}
}