单缺陷原子忆阻器高阻与低阻状态的建模
新兴技术
2022-06-14 v1
摘要
阻变随机存取存储器（RRAM）器件是纳米尺度的金属-绝缘体-金属结构，可将其信息存储于电阻状态中，即高阻（HRS）和低阻（LRS）状态。它们作为通用存储器的潜在候选者，因为这些非易失性存储元件可提供快速切换、长保持和切换周期，此外也适用于神经形态计算中的直接应用。在本研究中，我们首先提出一个模型来分析 RRAM 器件或所谓“原子忆阻器（atomristors）”的不同电阻状态，其利用新型二维材料而非绝缘体作为切换材料。随后该开发的模型被用于研究单缺陷单层 MoS 忆阻器的电学特性。HRS 与 LRS 间器件电阻的变化与当二维材料中的空位缺陷被来自电极的金属原子替代时隧穿概率的变化相关。由缺陷和替代金属原子引起的畸变通过沿横向平均效应捕获于一维势能分布中。这一简化使我们能够以较不繁复的量子输运模型对单缺陷忆阻器建模，同时考虑缺陷的存在。
引用
@article{arxiv.2206.05504,
title = {Modeling of High and Low Resistant States in Single Defect Atomristors},
author = {Yuvraj Misra and Tarun Kumar Agarwal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.05504},
year = {2022}
}