纳米器件中的电阻切换
材料科学
2015-09-22 v1
摘要
在给定阈值电压下使电流穿过金属/绝缘体/金属三明治结构器件可能改变其电阻态。这种电阻切换是纳米级器件独有的，但其潜在物理机制仍未知。我们表明，不同的电阻态源于不同的自发带电态，其特征是泊松方程的不同“能带弯曲”解。对于主要以施主型缺陷为主的绝缘体，低阻态的特征是由于凸能带弯曲导致的带负电绝缘体，高阻态的特征是由于凹能带弯曲导致的带正电绝缘体；对于主要以受主型缺陷为主的绝缘体则相反。这些多解仅共存于纳米级器件以及受切换阈值限制的偏置电压下，此时系统电荷自发改变，系统切换到另一电阻态。我们概述了此功能如何依赖于绝缘体“存储介质”的材料特性和缺陷丰度的普遍原理，并提出了一种具有更高存储容量的新型磁性忆阻器器件。
引用
@article{arxiv.1509.06169,
title = {Resistive Switching in Nanodevices},
author = {Hannes Raebiger and Antonio Claudio M. Padilha and Alexandre R. Rocha and Gustavo M. Dalpian},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.06169},
year = {2015}
}