完美忆阻器：非易失性、开关与负微分电阻
介观与纳米尺度物理
2013-04-17 v1
摘要
我们提出了一种作为记忆电阻的纳米开关简单模型。纳米开关的电阻由电子隧穿决定，该过程涉及纳米颗粒在焦耳热耗散存在下，于电极间的一个或多个势阱附近扩散。在单个势阱的情况下，我们在有限施加电流下观察到电阻滞后和负微分电阻。对于两个（或更多）势阱，开关机制是非易失性的，意味着忆阻器可以切换到所选的电阻状态并保持在那里。此外，开关的噪声谱表现出 的交叉，与最近的实验结果一致。
引用
@article{arxiv.1304.4501,
title = {Perfect memristor: non-volatility, switching and negative differential resistance},
author = {Sergey E. Savel'ev and Fabio Marchesoni and Alexander M. Bratkovsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.4501},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 3 figures