纳米级垂直LSMO/LSMO隧道结中的忆阻行为
介观与纳米尺度物理
2010-02-03 v1 材料科学
强关联电子
摘要
我们报道了纳米柱状锰氧化物（LSMO）薄膜中具有非线性电流-电压特性和双极滞回电阻切换的记忆电阻（忆阻器）行为。从高阻态（HRS）到低阻态（LRS）的切换发生在约1 MV/cm的偏置场下。外加电场主要降落在绝缘的界面LSMO层上，并与LSMO(111)/LSMO(111)垂直界面处的关联极化子耦合。观察到的忆阻行为具有电子（极化子）起源，由电场控制的Jahn-Teller（JT）效应引起，随后发生轨道重构并形成亚稳态的轨道无序界面相（LRS）。与先前报道的Ti-O薄膜中的离子忆阻器相比，电子（极化子）型纳米级LSMO忆阻器在更高场下表现出额外的（再入）LRS-HRS切换，这是因为JT系统的弹性能存在第二个极小值。
引用
@article{arxiv.1002.0495,
title = {Memristor Behaviour in Nano-Sized Vertical Lsmo/Lsmo Tunnel Junctions},
author = {V. Moshnyaga and M. Esseling and L. Sudheendra and O. I. Lebedev and K. Gehrke and G. Van Tendeloo and K. Samwer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.0495},
year = {2010}
}
备注
10 pages, 4 figures