薄膜存储材料的忆导纳系统模型
介观与纳米尺度物理
2010-03-16 v1 材料科学
摘要
1971年，忆阻器最初被假定为一种新的非线性电路元件，关联电流和电压的时间积分。最近，惠普实验室的研究人员将理论忆阻器概念与TiO(2-x)薄膜的电阻开关行为联系起来。然而，其他多种表现出记忆电阻效应的薄膜材料也被发现表现出记忆电容效应。本文提出了一个忆导纳（记忆导纳）系统模型，试图将记忆电容效应与忆阻器模型统一起来。该模型建立了电阻开关薄膜中导电桥横截面积与电容变化之间的关系方程。
引用
@article{arxiv.1003.2842,
title = {A Memadmittance Systems Model for Thin Film Memory Materials},
author = {Blaise Mouttet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.2842},
year = {2010}
}
备注
4 pages