氮化物基忆阻器的多级电阻切换与随机电报噪声分析
应用物理
2021-11-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
电阻切换器件因其在于阻变存储器（RRAM）中的应用而尤为重要，RRAM 是有望替代当前非易失性存储器并实现存储级存储器的候选者。这些器件通常展现具有多个离散电阻水平的忆阻特性，并实现人工突触。近年来，研究人员已演示将忆阻芯片作为计算中的加速器，遵循新的存内与神经形态计算途径。许多不同金属氧化物已被用作 MIM 或 MIS 结构中的电阻切换材料。理解电阻切换的机制与动力学对于在不同应用中建模和使用忆阻器非常关键。此处，我们演示使用重掺杂 Si 与 Cu 分别作为底电极和顶电极的氮化硅薄膜的双极电阻切换。电流-电压特性分析揭示，在空间电荷限制条件与适当电流顺从设置下，可实现多级电阻操作。此外，通过施加适当的 SET/RESET 脉冲序列，开发了用于多级电阻切换的灵活调谐协议。在不同电阻水平下进行了保持与随机电报噪声测量。本结果表明所考察器件具有吸引人的性质。
引用
@article{arxiv.2103.09931,
title = {Multi-level resistance switching and random telegraph noise analysis of nitride based memristors},
author = {Nikolaos Vasileiadis and Panagiotis Loukas and Panagiotis Karakolis and Vassilios Ioannou-Sougleridis and Pascal Normand and Vasileios Ntinas and Iosif-Angelos Fyrigos and Ioannis Karafyllidis and Georgios Ch. Sirakoulis and Panagiotis Dimitrakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.09931},
year = {2021}
}