基于Al/Si3N4/p-Si MIS结构的阻变存储器件的阻变特性
材料科学
2016-05-20 v1
摘要
在本研究中，我们提出并展示了以p型硅(p-Si)作为底电极的氮化硅(Si3N4)基阻变随机存取存储器件的自整流特性。由Al/Si3N4/p-Si构成的RRAM器件通过低压化学气相沉积制备，并展现出具有非线性电流-电压(I-V)特性的本征二极管特性。此外，与传统的Al/Si3N4/Ti RRAM单元的metal/insulator/metal (MIM)结构相比，由于引入的p-Si底电极有效抑制了低阻态和高阻态下的电流，所提出的metal/insulator/semiconductor (MIS)单元在整个偏压区的操作电流均显著降低。因此，这些结果表明，采用p-Si作为底电极，基于Si3N4的RRAM单元可应用于无选择器RRAM单元。
引用
@article{arxiv.1605.06006,
title = {Resistive Switching Characteristics of Al/Si3N4/p-Si MIS-Based Resistive Switching Memory Devices},
author = {Min Ju Yun and Sungho Kim and Hee-Dong Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.06006},
year = {2016}
}