硅原子掺杂的氮化硅阻变MIS单元
材料科学
2025-02-05 v1 应用物理
摘要
通过超低能离子注入（ULE-II）对化学计量比的SiNx层（x = [N]/[Si] = 1.33）进行硅原子掺杂，随后在惰性环境条件下进行不同温度的退火。我们进行了详细的材料和存储单元表征，以研究硅掺杂剂对所制备阻变存储单元的开关特性和性能的影响。在此背景下，系统地进行了广泛的直流电流-电压和阻抗谱测量，并阐明了掺杂在氮化物薄膜介电性能中的作用。我们全面研究了直流和交流导电机理。此外，还展示了阻变态的室温保持特性。
引用
@article{arxiv.2502.02116,
title = {Silicon nitride resistance switching MIS cells doped with silicon atoms},
author = {A Mavropoulis and N Vasileiadis and C Bonafos and P Normand and V Ioannou-Sougleridis and G Ch Sirakoulis and P Dimitrakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.02116},
year = {2025}
}
备注
arXiv admin note: text overlap with arXiv:2502.01350