不同配比比例下 SiNx 的 breakdown 特性用于阻变存储器
材料科学
2025-12-11 v1 应用物理
摘要
探索了不同配比比例下 SiNx 层的 breakdown 特性。通过调整 LPCVD 沉积过程中气体流量，可修改 SiNx 的配比。这些层适用于 RRAM 存储单元。
引用
@article{arxiv.2512.09681,
title = {Breakdown characteristics of SiNx with different stoichiometries for resistive memories},
author = {A. E. Mavropoulis and I. Kanellopoulos and G. Pissanos and G. Samara and N. Vasileiadis and E. Stavroulakis and P. Normand and G. Ch. Sirakoulis and P. Dimitrakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.09681},
year = {2025}
}