不同配比比例下 SiNx RRAM 的性能
材料科学
2025-12-11 v1 应用物理
摘要
SiNx 的微结构受其配比 x 的显著影响。通过调整 LPCVD 沉积过程中气体流量，可修改 SiNx 薄膜的配比。Si 原子的欠失或过量会促进悬空价、硅悬垂键等缺陷的形成，从而可实现所得 MIS RRAM 器件性能的调谐。对非配比硅氮化物薄膜作为阻变存储材料进行了直流电气表征、阻抗光谱和恒定电压应力测量。通过施加电压斜坡测量每个器件的平均 SET 时间。观察到 SET/RESET 电压和 SET 时间的改善。最后，配比薄膜 exhibits 最低的 breakdown 加速度因子，而 Si 富集薄膜则为最高。
引用
@article{arxiv.2512.09677,
title = {SiNx RRAMs performance with different stoichiometries},
author = {A. E. Mavropoulis and G. Pissanos and N. Vasileiadis and P. Normand and G. Ch. Sirakoulis and P. Dimitrakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.09677},
year = {2025}
}