在大范围衬底直流偏压下溅射的超导 TiN 薄膜
超导电性
2015-05-29 v2
摘要
我们研究了在施加于衬底的大范围射频感应直流偏压电压下溅射生长的超导氮化钛 (TiN) 薄膜的性质。在最大偏压下生长的薄膜含有立方 TiN 相，且具有较大比例的 (200) 晶体生长取向。这些薄膜还含有最低浓度的氧杂质，从而形成化学计量比的 TiN。在偏压范围内，测量到应力从轻微拉伸变化到高度压缩，并与 (200) 生长的结晶度相关联。薄膜表现出高度均匀的厚度和电阻率，显示出产生可重复低温器件的潜力。最后，用这些薄膜制造的共面谐振器表现出高动能电感和高品质因子，其中后者部分源自随温度变化的频率偏移。
引用
@article{arxiv.1408.3177,
title = {Superconducting TiN Films Sputtered over a Large Range of Substrate DC Bias},
author = {H. M. Iftekhar Jaim and J. A. Aguilar and B. Sarabi and Y. J. Rosen and A. N. Ramanayaka and E. H. Lock and C. J. K. Richardson and K. D. Osborn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.3177},
year = {2015}
}