外延生长 TiN 薄膜的电导率增强
材料科学
2023-10-24 v1
摘要
氮化钛（TiN）具有优异的电导率，以及机械和化学稳定性，并与半导体制造工艺兼容。在此，我们分别在 640°C 和室温下使用直流溅射在 MgO (111)、蓝宝石 (001) 和云母衬底上制备了外延和多晶 TiN (111) 薄膜。外延薄膜比室温生长的多晶薄膜表现出更少的表面氧化。外延薄膜显示出急剧降低的电阻率（约 30 微欧-厘米），远小于多晶薄膜。温度依赖的电阻率测量显示出低至低温的近单调温度斜率。这些结果表明，TiN 薄膜的高温生长导致电导率的显著增强，在耐用且可扩展的电极应用中大有前景。
引用
@article{arxiv.2310.14208,
title = {Electrical conductivity enhancement of epitaxially grown TiN thin films},
author = {Yeong Gwang Khim and Beomjin Park and Jin Eun Heo and Young Hun Khim and Young Rok Khim and Minsun Gu and Tae Gyu Rhee and Seo Hyoung Chang and Moonsup Han and Young Jun Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.14208},
year = {2023}
}
备注
14 pages, 3 figures