氮化钛作为霍伊斯勒化合物的种子层
材料科学
2016-01-29 v3
摘要
氮化钛 (TiN) 在室温下显示出低电阻率、高热稳定性，因此有可能在磁性隧道结中作为种子层。通过 X 射线衍射和四端输运测量生长并表征了具有优异晶体学和电学性质的高质量 TiN 薄膜。元素特定的 X 射线吸收光谱揭示了块体中的纯 TiN。为了研究 TiN 种子层对铁（性）磁底电极的影响，分别在 TiN 缓冲层上沉积了面外磁化的 Mn2.45Ga 以及面内和面外磁化的 Co2FeAl 薄膜。使用超导量子干涉器件 (SQUID) 和异常霍尔效应 (AHE) 研究了 Mn2.45Ga 的磁性质。进行了磁光克尔效应 (MOKE) 测量以研究 Co2FeAl 的磁性质。与无缓冲层的样品相比，TiN 缓冲的 Mn2.45Ga 薄膜显示出更高的矫顽力和方形比。霍伊斯勒化合物 Co2FeAl 在室温下生长时已显示出良好的结晶性。
引用
@article{arxiv.1510.06256,
title = {Titanium Nitride as a Seed Layer for Heusler Compounds},
author = {Alessia Niesen and Manuel Glas and Jana Ludwig and Roshnee Sahoo and Daniel Ebke and Elke Arenholz and Jan-Michael Schmalhorst and Günter Reiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.06256},
year = {2016}
}