分子束射极生长钛氮化物的电子输运特性研究
超导电性
2025-04-16 v1 材料科学
摘要
本研究考察了钛氮化物(TiN)薄膜的分子束射极生长工艺，实现了残余电阻比(Resistivity Ratio, RRR)高达15.8。我们观察到生长温度与晶体质量之间存在强烈相关性，这一关系在RRR值和晶格参数变化中得到体现。对超导性表征得到准赫兹-朗道德 coherence length为60.4 ± 0.6 nm，显著高于常规溅射薄膜，表明超导相干性得到改善。结合实验数据进行第一性原理计算，提供了TiN薄膜电子结构与输运特性的详细洞察。温度依赖的霍尔系数测量进一步揭示了各向异性散射机制的影响。这些发现为开发用于先进量子计算技术的氮化物基超导材料奠定了可行路径。
引用
@article{arxiv.2504.11065,
title = {Electronic transport properties of titanium nitride grown by molecular beam epitaxy},
author = {Kosuke Takiguchi and Yoshiharu Krockenberger and Tom Ichibha and Kenta Hongo and Ryo Maezono and Yoshitaka Taniyasu and Hideki Yamamoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.11065},
year = {2025}
}