在 α-Sn/InSb 异质结构中观察到的大磁电阻
材料科学
2020-09-29 v1
摘要
在本研究中，我们通过分子束外延（MBE）在 InSb 衬底上外延生长了一系列厚度从 10 nm 到 400 nm 的 α-Sn 薄膜，并确认了 α-Sn 薄膜的高质量。与裸 InSb 衬底相比，观察到超过 450,000% 的增强大磁电阻（MR）。利用厚度、角度和温度依赖的 MR 来展示 α-Sn 薄膜对电输运性质的影响。
引用
@article{arxiv.2009.13427,
title = {Large magnetoresistance observed in {\alpha}-Sn/InSb heterostructures},
author = {Yuanfeng Ding and Huanhuan Song and Junwei Huang and Jinshan Yao and Yu Gu and Lian Wei and Yu Deng and Hongtao Yuan and Hong Lu and Yan-Feng Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.13427},
year = {2020}
}
备注
24 pages, 5 figures