Al2O3 对基于 SiNX 的 MIS RRAM 操作的影响
应用物理
2025-02-04 v1 材料科学
摘要
通过使用各种电学表征技术，研究了在化学计量比 LPCVD SiNx MIS RRAM 单元顶部添加 3 nm Al2O3 层的作用。解释了导电细丝的形成过程，并使用紧凑模型拟合电流-电压曲线，以发现其在每个操作周期中的演变。还研究了 SiNx 中的导电机制。
引用
@article{arxiv.2502.01346,
title = {Effect of Al2O3 on the operation of SiNX-based MIS RRAMs},
author = {A. E. Mavropoulis and N. Vasileiadis and P. Normand and C. Theodorou and G. Ch. Sirakoulis and S. Kim and P. Dimitrakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.01346},
year = {2025}
}