原子层沉积氧化铝在氮化镓上的电学性质
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v1
摘要
我们报告了对金属/Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体（MIS）电容器电学性质的研究。通过分析原子层沉积Al2O3薄膜在GaN衬底上的电容-电压特性，确定了氧化铝/GaN界面的导带偏移和界面电荷密度。计算得到Al2O3/GaN界面的导带偏移为2.13 eV，与理论预测一致。推断出在GaN平带条件下氧化物中存在0.93 MV/cm的非零电场，我们将其归因于Al2O3/GaN界面处大小为4.60×10^12 cm^{-2}的固定净正电荷密度。通过分析能带排列，我们提出了解释该电荷起源的假设。
引用
@article{arxiv.1109.2566,
title = {Electrical Properties of Atomic Layer Deposited Aluminum Oxide on Gallium Nitride},
author = {Michele Esposto and Sriram Krishnamoorthy and Digbijoy N. Nath and Sanyam Bajaj and Ting-Hsiang Hung and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.2566},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 4 figures, Applied Physics Letters