In与Sn/In2O3 (111)界面电子结构的比较研究
材料科学
2016-03-02 v1
摘要
利用角分辨光电子能谱，研究了在透明半导体In2O3表面沉积金属铟和锡时的电子结构。通过在In2O3 (111)单晶上沉积金属铟，我们检测到有效质量为(0.38±0.05) m0的类自由电子能带形成。在低覆盖度下，金属In将In2O3的费米能级移至更高能量，并在金属/半导体界面处形成新的电子态。这种具有二维特征的状态（二维电子气）完全负责In2O3 (111)表面区域的电传导，并且其能带色散不同于该材料中先前发现的表面积累层。尽管In和Sn的电子性质相似，但Sn覆盖观察到更大的向下能带弯曲，且未伴随表面态的出现。
引用
@article{arxiv.1510.08391,
title = {Comparative study of the electronic structures of the In and Sn/In2O3 (111) interfaces},
author = {M. Nazarzahdemoafi and F. Titze and S. Machulik and C. Janowitz and Z. Galazka and R. Manzke and M. Mulazzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.08391},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 3 figures