富硅氮化硅的片上热光性质
应用物理
2023-07-19 v1 光学
摘要
我们展示了使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备的富硅氮化硅（SRN）薄膜的热光性质。利用马赫-曾德尔干涉仪（MZI）光谱响应随温度的变化来表征具有不同硅含量的氮化硅薄膜的热光系数。结果表明硅含量与氮化硅薄膜所表现的热光系数之间存在明确关系，可实现的最高系数高达 (1.65+/-0.08) x 10-4 K-1。此外，我们实现了一种基于 SRN 多模干涉仪（MMI）的热光开关，其消光比超过 20 dB，双端口切换的总功耗为 50 mW。
引用
@article{arxiv.2005.13348,
title = {Thermo-Optic Properties of Silicon-Rich Silicon Nitride for On-chip Applications},
author = {Hani Nejadriahi and Alex Friedman and Rajat Sharma and Steve Pappert and Yeshaiahu Fainman and Paul Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.13348},
year = {2023}
}
备注
10 pages, 7 figures, submitted to a journal