面向光电子应用的衬底介导 Ti-Si-N 纳米与微结构合成
材料科学
2019-04-01 v1
摘要
作为最坚硬的材料之一，三元 TiSiN 展现了一类非常有趣的二元过渡金属氮化物与硅化物体系。本文报道了一种制备形貌奇特的 TiSiN 纳米与微结构的新技术。所述 TiSiN 薄膜以立方 TiN 相为主，富含晶态纳米颗粒、微花与刻面微晶，对等离子体介导的光电子应用具有吸引人的功能特性。在所展示的工艺中，钛对衬底上基于氮化硅的介电覆盖层在高温下的反应性是氮化物形成的关键。这些形貌富集复合膜的光电响应表明，光诱导表面等离极化激元对其直流输运性质有显著影响。在光照射下观察到由表面形貌联合膜厚控制的等离子体调谐阻变开关。利用德鲁德修正的频率依赖体电子散射率与表面介导 SPPs-电子散射率，提出了一个通用模型，以明确解释器件电阻随光照的增加。该特色合成工艺为过渡金属氮化物的生长开辟了新方向，而所提模型则作为理解金属中光诱导电子散射机制的基础平台。
引用
@article{arxiv.1903.12376,
title = {Substrate Mediated Synthesis of Ti-Si-N Nano-and-Micro Structures for Optoelectronic Applications},
author = {Sachin Yadav and Alka Sharma and Bikash Gajar and Mandeep Kaur and Dinesh Singh and Sandeep Singh and Kamlesh Kumar Maurya and Sudhir Husale and Vijay Narain Ojha and Sangeeta Sahoo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.12376},
year = {2019}
}