低应力氮化硅的红外介电性质
天体物理仪器与方法
2012-10-05 v1 材料科学
光学
摘要
氮化硅薄膜在传感器、滤波器和高性能电路的实现中起着重要作用。本文根据观测到的透射光谱，推导了常用低应力氮化硅配方在远红外和中红外区域的介电函数估计值。文中介绍了用于提取介电参数的实验、建模和数值方法，其精度约为 4%。
引用
@article{arxiv.1209.2987,
title = {Infrared dielectric properties of low-stress silicon nitride},
author = {Giuseppe Cataldo and James A. Beall and Hsiao-Mei Cho and Brendan McAndrew and Michael D. Niemack and Edward J. Wollack},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.2987},
year = {2012}
}