用于天文应用的硅的红外光谱研究
材料科学
2018-08-21 v1
摘要
本工作聚焦于利用傅里叶变换红外（FTIR）与光栅光谱仪表征多种体硅（Si）样品，以使其适用于天文应用。通过测量不同杂质浓度的样品在红外区的透射率对其进行表征。识别了由残余杂质吸收引起的多条谱线，并给出了杂质吸收的温度依赖性。掺杂样品（电阻率ρ ~ 0.2 - 25000 Ohm cm）的浓度由低温下的杂质吸收及300 K下的Drude自由载流子吸收确定。
引用
@article{arxiv.1808.06069,
title = {Infrared spectroscopy of silicon for applications in astronomy},
author = {B. Uzakbaiuly and D. B. Tanner and J. Ge and J. Degallaix and A. S. Markosyan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.06069},
year = {2018}
}
备注
17 pages, 38 figures